· 半導体パッケージングと AI コンピューティング:高出力プロセッサー用のヒート スプレッダーと熱管理コンポーネント。
· パワーエレクトロニクス:SiCパワーデバイス、IGBTモジュール、電力変換システムの熱構造。
· レーザーとオプトエレクトロニクス:レーザー ダイオードおよびその他の高出力光学デバイス用のヒート スプレッダー。
· 航空宇宙および精密工学:導電性、剛性、寸法安定性が重要となる特殊な熱構造。
効率的な熱伝達:適切に設計されたコンポーネントでは、導電率が高いと熱抵抗が低減されます。
CTE マッチング:調整可能な組成は、材料間の熱の不一致に対処するのに役立ちます。
機械的安定性:ダイヤモンドと SiC は剛性と硬度に貢献します。
設計の柔軟性:材料の組成、形状、仕上げを用途のニーズに照らして評価できます。
以下は予備的なエンジニアリング参照範囲であり、認定された VeTek 製品グレードの保証仕様ではありません。最終的な値は、メーカーおよび製品固有のテストレポートで確認する必要があります。
パラメータ
ユニット
指示範囲
ダイヤモンドの含有量
体積%
30~70
熱伝導率(室温)
W/(m・K)
300~800*
熱膨張係数 (CTE)
ppm/K
1~5*
密度
g/cm3
2.9~3.4
相対密度
%
通常、密度の高いグレードでは >98
曲げ強度
MPa
300~540*
弾性率
GPa
300~500*
ビッカース硬さ
16~24*
· プレートと基板 - フラット サーマル スプレッダーとパッケージング基板。
· ディスクと円形コンポーネント - 円形ヒート スプレッダーとカスタム ディスク。
· カスタム機械加工部品 - 特殊な形状と精密仕上げのコンポーネント。機能レビューの対象となります。
評価または見積もりの場合は、入手可能な詳細情報を提供してください。
· 図面、寸法、公差
· 目標の熱伝導率とCTE
· 動作温度と熱サイクル条件
· 表面仕上げ、メタライゼーション、または接着の要件
· 想定数量と用途
住所
中国浙江省金華市武夷県紫陽街Wangda Road
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