CVD 炭化ケイ素(SiC) コーティング RTP サセプタ

特徴

• テルマ 均一性 – 材料の高い熱効率 拡散性により、迅速で空間的に均一な熱伝達が可能になり、再現可能なウェーハ温度プロファイルがサポートされます。
• 高純度レベル – CVD SiC コーティングは 99.99995% の純度を達成し、重要なプロセスステップにおける可動イオンと金属汚染のリスクを効果的に軽減します。
• 化学的耐久性 – コーティングは、高温下でハロゲンベースのガスなどの腐食種に対して強力な耐性を示します。 l サービス間隔の延長 – 酸化耐性と耐摩耗性の強化により、交換回数が減り、工具のダウンタイムが短縮されます。
• 設計の柔軟性 – 寸法と構成は、特定の RTP チャンバーの形状とウェーハ サイズに合わせて調整できます。

アプリケーション

• 急速熱処理 (RTP)
• 急速熱アニーリング (RTA)
• ドーパントの活性化 酸化およびアニーリングのステップ
• 集積回路 (IC) の製造
• パワーデバイス製造技術
  
  

仕様

VeTek Semiconductor を選ぶ理由?

• 半導体グレードの要件に合わせて特別に開発された社内 CVD SiC コーティング プロセス。
• グラファイトの精製、精密加工、コーティング厚さの制御のための統合機能。
• バッチ生産全体で証明されたコーティングの密着性と層の均一性。
• 主要な RTP ツール プラットフォームと互換性のあるカスタム サセプター設計のエンジニアリング サポート。
• 厳格な入荷材料検査、工程内モニタリング、および最終認定テストにより、バッチ間の一貫性が保証されます。