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窒化アルミニウム(AlN)セラミック静電チャック
  • 窒化アルミニウム(AlN)セラミック静電チャック窒化アルミニウム(AlN)セラミック静電チャック

窒化アルミニウム(AlN)セラミック静電チャック

VeTek 窒化アルミニウム セラミック静電チャック (ESC) は、正確な温度制御、安定した静電保持、および低パーティクル発生を必要とする半導体プロセス ツール向けに設計された、高熱伝導率のウェーハ クランプ プラットフォームです。高純度の AlN セラミックで製造されたこれらのチャックは、150 mm、200 mm、および 300 mm のウェハプロセスで優れた熱拡散、高い電気絶縁、および信頼性の高いクーロンまたはジョンセン・ラーベッククランプを実現します。
    評価: 5.0
    (評価数: 1)

    1.利点

    • 最大 ~180 W/m・K の熱伝導率を備えた高純度 AlN セラミックにより、効率的な熱伝達と温度均一性を実現

    • 強力な電気絶縁性と高い体積抵抗率により、1 ~ 3 kV での安定したクランプをサポートします (より高い電圧も利用可能)

    • カスタム誘電体層材料と電極レイアウト: Coulomb または Johnsen-Rahbek (JR)。シングルゾーンまたはマルチゾーン

    • 通常 0.1 秒未満の高速クランプおよびクランプ解除パフォーマンス

    • 直径最大 300 μm までの表面ディンプル微細構造により、接触面積を最大 1% まで低減

    • 高い平坦性能力。 300 mm クラスのプラットフォームの場合、一般的なグローバル平坦度は 0.5 ~ 3 μm PV 程度

    • 吸水率がほぼゼロの緻密な微細構造と、プロセス環境に対する優れた耐薬品性を備えています。

    2.代表的な用途

    窒化アルミニウムセラミック静電チャックは、ウェーハの確実な保持と熱挙動の制御の両方が必要なプロセスステップで使用されます。

    • ドライ プラズマ エッチング (ICP/RIE) および関連するチャンバー プロセス

    • CVD、PEALD、熱ALD、その他の薄膜堆積ステージ

    • 均一なウェーハ温度を必要とするアニーリングおよび熱プロセスモジュール

    • 粒子の少なさと安定したクランプが重要な検査、計測、精密ステージ

    3.AlN 材料グレード - 代表的な特性

    VeTek は、ESC 設計の熱伝導率、機械的強度、コストのバランスをとるために、複数の窒化アルミニウム グレードを提供しています。

    財産

    AIN-HC95

    AIN-HP95

    AIN99

    AIN999

    AIN-HP999

    AIN-HP999LR

    色

    グレー

    グレー

    グレー

    グレー

    グレー

    グレー

    純度

    ≥95%

    ≥95%

    ≥99%

    ≥99.9%

    ≥99.9%

    ≥99.9%

    密度 (g/cm3)

    3.3

    3.3

    3.3

    3.2

    3.3

    3.3

    吸水率(%)

    0

    0

    0

    0

    0

    0

    HV硬度(GPa)

    10

    10

    10

    10

    10

    10

    曲げ強さ(MPa)

    380

    400

    350

    310

    360

    310

    弾性率 (GPa)

    320

    300

    300

    300

    300

    300

    破壊靱性

    3

    3.4

    3

    2.8

    2.3

    3.3

    熱膨張係数 (×10⁻⁶/°C)

    4.6

    5.7

    5.2

    5.5

    5.7

    5.4

    熱伝導率

    180

    180

    100

    90

    90

    90

    熱衝撃 (°C)

    400

    500

    —

    —

    350

    —

    絶縁耐力

    16

    16

    —

    16

    —

    —

    体積抵抗率

    1×10¹⁴

    1×10¹⁵

    1×10¹⁵

    —

    1×10¹⁵

    調整可能

    誘電率

    8.6

    8.6

    8.5

    8.5

    —

    —

    単位: 熱伝導率 (W/(m・K))。絶縁耐力 (kV/mm);体積抵抗率 (Ω・cm) (25 °C)。 1MHzにおける誘電率。値は標準的なものであり、プロセスや部品の形状によって異なる場合があります。

    4.一般的な ESC 設計パラメータ

    パラメータ

    代表値/範囲

    セラミック素材

    窒化アルミニウム(AlN)

    ESCタイプ

    クーロン/ジョンセン・ラーベック (JR)

    電極配置

    シングルゾーンまたはマルチゾーン

    製造ルート

    ホットプレス (高 TC グレードには AlN が好ましい)

    クランプ/デクランプ時間

    < 0.1 秒 (通常)

    ディンプル直径 (最小)

    ~300μm

    接触面(ディンプルあり)

    ~1%まで削減可能

    全体平面度(300mmクラス)

    ~0.5 ~ 3 μm PV (標準)

    クランプ電圧

    1 ~ 3 kV 標準。 >15 kV の設計が可能

    5.なぜチューなのかVeTek AlN 静電チャックですか?

    VeTek Semiconductor は、熱性能と信頼性の高いクランプの両方を必要とする半導体顧客向けに、高度な AlN セラミックと精密 ESC 製造を統合しています。

    • プロセスの熱バジェットに合わせて、熱伝導率が ~90 ~ ~180 W/m·K の複数の AlN グレード

    • クーロンまたは JR クランプ動作のための柔軟な電極と誘電体設計

    • 平坦度、表面微細構造、電気絶縁性能を厳密に制御

    • フルライフサイクルサポート: 設計、新規構築、複数レベルの改修

    均一なウェーハ温度とクリーンで再現性のあるクランプに依存するエッチング、蒸着、サーマル ツールに対して、VeTek 窒化アルミニウム セラミック静電チャックは、アプリケーションを重視したエンジニアリング サポートに裏打ちされた高性能セラミック プラットフォームを提供します。

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