• 最大 ~180 W/m・K の熱伝導率を備えた高純度 AlN セラミックにより、効率的な熱伝達と温度均一性を実現
• 強力な電気絶縁性と高い体積抵抗率により、1 ~ 3 kV での安定したクランプをサポートします (より高い電圧も利用可能)
• カスタム誘電体層材料と電極レイアウト: Coulomb または Johnsen-Rahbek (JR)。シングルゾーンまたはマルチゾーン
• 通常 0.1 秒未満の高速クランプおよびクランプ解除パフォーマンス
• 直径最大 300 μm までの表面ディンプル微細構造により、接触面積を最大 1% まで低減
• 高い平坦性能力。 300 mm クラスのプラットフォームの場合、一般的なグローバル平坦度は 0.5 ~ 3 μm PV 程度
• 吸水率がほぼゼロの緻密な微細構造と、プロセス環境に対する優れた耐薬品性を備えています。
窒化アルミニウムセラミック静電チャックは、ウェーハの確実な保持と熱挙動の制御の両方が必要なプロセスステップで使用されます。
• ドライ プラズマ エッチング (ICP/RIE) および関連するチャンバー プロセス
• CVD、PEALD、熱ALD、その他の薄膜堆積ステージ
• 均一なウェーハ温度を必要とするアニーリングおよび熱プロセスモジュール
• 粒子の少なさと安定したクランプが重要な検査、計測、精密ステージ
VeTek は、ESC 設計の熱伝導率、機械的強度、コストのバランスをとるために、複数の窒化アルミニウム グレードを提供しています。
財産
AIN-HC95
AIN-HP95
AIN99
AIN999
AIN-HP999
AIN-HP999LR
色
グレー
純度
≥95%
≥99%
≥99.9%
密度 (g/cm3)
3.3
3.2
吸水率(%)
0
HV硬度(GPa)
10
曲げ強さ(MPa)
380
400
350
310
360
弾性率 (GPa)
320
300
破壊靱性
3
3.4
2.8
2.3
熱膨張係数 (×10⁻⁶/°C)
4.6
5.7
5.2
5.5
5.4
熱伝導率
180
100
90
熱衝撃 (°C)
500
—
絶縁耐力
16
体積抵抗率
1×10¹⁴
1×10¹⁵
調整可能
誘電率
8.6
8.5
単位: 熱伝導率 (W/(m・K))。絶縁耐力 (kV/mm);体積抵抗率 (Ω・cm) (25 °C)。 1MHzにおける誘電率。値は標準的なものであり、プロセスや部品の形状によって異なる場合があります。
パラメータ
代表値/範囲
セラミック素材
窒化アルミニウム(AlN)
ESCタイプ
クーロン/ジョンセン・ラーベック (JR)
電極配置
シングルゾーンまたはマルチゾーン
製造ルート
ホットプレス (高 TC グレードには AlN が好ましい)
クランプ/デクランプ時間
< 0.1 秒 (通常)
ディンプル直径 (最小)
~300μm
接触面(ディンプルあり)
~1%まで削減可能
全体平面度(300mmクラス)
~0.5 ~ 3 μm PV (標準)
クランプ電圧
1 ~ 3 kV 標準。 >15 kV の設計が可能
VeTek Semiconductor は、熱性能と信頼性の高いクランプの両方を必要とする半導体顧客向けに、高度な AlN セラミックと精密 ESC 製造を統合しています。
• プロセスの熱バジェットに合わせて、熱伝導率が ~90 ~ ~180 W/m·K の複数の AlN グレード
• クーロンまたは JR クランプ動作のための柔軟な電極と誘電体設計
• 平坦度、表面微細構造、電気絶縁性能を厳密に制御
• フルライフサイクルサポート: 設計、新規構築、複数レベルの改修
均一なウェーハ温度とクリーンで再現性のあるクランプに依存するエッチング、蒸着、サーマル ツールに対して、VeTek 窒化アルミニウム セラミック静電チャックは、アプリケーションを重視したエンジニアリング サポートに裏打ちされた高性能セラミック プラットフォームを提供します。
住所
中国浙江省金華市武夷県紫陽街Wangda Road
電話
+86-18069220752
Eメール
anny@veteksemi.com
WhatsApp
Tina
Email
Andy
VeTek