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MOCVDエピタキシーグラファイトサセプタのエッジの黄変と炭化ケイ素コーティングの剥離の原因を詳細に分析します。 VeTek は、初期 CVD 堆積速度と流れ場を正確に制御することでマイクロストレスを排除し、コーティング収率を 50% から 90% に向上させ、高純度グラファイト部品の耐用年数を延長しました。

マルチポケット シリコン エピタキシー グラファイト サセプタのポケット間の厚さのばらつきが 1.4% であることに対処し、VeTek Semi は CVD 流れ場シミュレーションと超精密 SiC コーティングによってサセプタの平坦度を 0.08mm 未満に改善し、ばらつきを 0.69% に低減し、ウェハの歩留まりを向上させました。

Vetek がどのようにして大型 MOCVD SiC コーティングされたグラファイト サセプターの放射状亀裂を除去したかをご覧ください。構造応力バッファーの再設計と CTE マッチングにより、耐用年数が 300% 以上延長されました。

A decade of SiC evolution — from early 4-inch commercialization challenges to today's 8-inch wafer transition. Discover how CVD SiC coatings, Solid SiC, and TaC materials enable reliable semiconductor manufacturing.

CVD SiC コーティングされたグラファイト サセプターが、SiC、GaN、LED、およびシリコン半導体製造において、熱均一性の向上、汚染の削減、コンポーネントの寿命の延長により、エピタキシャル成長をどのように強化するかを学びます。

TaC コーティングされたグラファイト ヒーターが、従来の pBN コーティングされたヒーターと比較して、どのように GaN MOCVD エピタキシーの温度均一性を高め、エネルギー消費を削減し、耐用年数を延長するかをご覧ください。

CVD TaC コーティングが炭素汚染の低減、グラファイト部品の保護、耐用年数の延長、高度な半導体製造の結晶品質の向上により、PVT 炉での SiC 結晶の成長をどのように改善するかをご覧ください。

CVD TaC コーティングが半導体グラファイト部品の好ましい保護ソリューションになりつつある理由をご覧ください。その利点、SiC 結晶成長、GaN MOCVD、およびウェーハ キャリアにおけるアプリケーション、およびそれが耐久性、純度、プロセスの安定性をどのように向上させるかを学びます。

VETEK 熱分解炭素 (PyC) コーティングされたグラファイト リングが、SiC 結晶成長、エピタキシー、CVD、および高温半導体プロセスにおいてどのように熱安定性を向上させ、汚染を軽減し、コンポーネントの寿命を延長するかをご覧ください。

CVD TaC コーティングが、超高熱安定性、耐食性、不純物抑制、MOCVD およびエピタキシー用途における優れた性能により、SiC 結晶成長と半導体製造をどのように改善するかをご覧ください。

高温 SiC エピタキシー システム用の主要な Aixtron G10 コンポーネントをご覧ください。 CVD SiC コーティングされたグラファイト部品、TaC コーティング コンポーネント、熱フィールド構造、およびそれらが高度な半導体製造におけるプロセスの安定性、純度管理、ウェーハの歩留まりにどのように役立つかについて説明します。

LPE 反応チャンバー内のハーフムーン コンポーネントとは何か、またそれが SiC エピタキシー システムの熱安定性、ガス フロー管理、リアクター構造をどのようにサポートするかを学びます。グラファイト材料、CVD SiC コーティング、TaC コーティング、最新の半導体リアクター技術を探索します。

MicroLED の歩留まりに問題がありますか?業界リーダーが熱ストレスや粒子汚染を解決するために、SiC 基板や TaC コーティングされた MOCVD コンポーネントに移行している理由をご覧ください。次世代 GaN ディスプレイ用の CVD SiC の技術的優位性を学ぶ

CVD SiC コーティングが半導体プロセスでどのように使用されているかを、その構造、性能特性、一般的な用途に加え、高温用途との関連性も含めて調べます。

CVD ソリッド SiC には投資する価値がありますか?モノリシック SiC と従来のグラファイト コーティングの ROI を比較してください。優れたプラズマ耐性と拡張された MTBC が、12 インチ HVM ラインのウェーハスクラップ率の低下と装置稼働時間の向上にどのようにつながるかをご覧ください。

半導体製造には高純度の材料が不可欠です。これらのプロセスには、極度の熱と腐食性化学物質が含まれます。 CVD-SiC (化学蒸着炭化ケイ素) は、必要な安定性と強度を提供します。純度が高く密度が高いため、現在では先端機器部品の主な選択肢となっています。