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私たちは、私たちの仕事の結果、会社のニュースを喜んで共有し、タイムリーな開発や人事の任命と解任の条件をお知らせします。

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21 2026-05

CVD TaC コーティングが第 3 世代半導体の「高温鎧」である理由

CVD TaC コーティングが、超高熱安定性、耐食性、不純物抑制、MOCVD およびエピタキシー用途における優れた性能により、SiC 結晶成長と半導体製造をどのように改善するかをご覧ください。

16 2026-05

Aixtron G10 コンポーネント: 高性能 SiC エピタキシーの主要部品

高温 SiC エピタキシーシステム用の主要な Aixtron G10 コンポーネントをご覧ください。 CVD SiC コーティングされたグラファイト部品、TaC コーティングコンポーネント、熱フィールド構造、およびそれらが高度な半導体製造におけるプロセスの安定性、純度管理、ウェーハの歩留まりにどのように役立つかについて説明します。