高純度クォーツエッチングリング

1.主な機能と利点

• SiO₂ ≥ 99.999% と厳密に制御された金属不純物を含む半導体グレードの脱ヒドロキシル化溶融石英

• 1100 °C までの安定した連続動作、1200 °C 付近での短期間の機能

• フッ素系および塩素系のエッチング化学薬品および高エネルギープラズマへの曝露に対する強い耐性

• 繰り返しのチャンバー温度サイクル下でも熱膨張が低く、優れた熱衝撃性能を発揮

• 低真空ガス放出によりチャンバーのベース圧力とプロセスガス組成を保護

• 一貫したチャンバーフィットとプラズマ境界定義を実現する研磨接触面によるミクロンレベルの寸法制御

• 構成可能な設計: フラット リング、段付きエッチング リング、位置決め/保持リング、および主要なエッチング ツール プラットフォーム用の完全カスタム プロファイル

2.代表的な用途

高純度石英エッチング リングは、ドライ プラズマ エッチング プロセス チャンバーで次の用途に使用されます。

• ロジックおよびメモリデバイスのプラズマエッチングステップ

• SiCおよびGaNパワーデバイスのエッチングプロセス

• 高アスペクト比の構造エッチング

• 光学・化合物半導体基板のプラズマ処理

• 高度なパッケージング プラズマ エッチングおよび関連する洗浄ステップ

• RIE / ICP ラボ用エッチング ツールおよびプロダクション エッチング ツール

3.主要な技術的パラメータ

• 材質: 半導体グレードの脱ヒドロキシル化溶融石英、SiO₂ ≥ 99.999%

• ウェーハ互換性: 2 / 4 / 6 / 8 / 12 インチシリコン、SiC、GaN、サファイア

• 動作温度: 連続 -20 °C ～ 1100 °C。短期ピーク約 1200 °C

• 主な機能: プラズマエッジ閉じ込め、ガス流誘導、エッジ保護、チャンバー隔離

• 加工品質: ミクロンレベルの公差、研磨された表面、制御されたエッジ、きれいな仕上げ

• 構造オプション: フラット リング、段付きエッチング リング、位置決め/保持リング、およびカスタム形状

• カスタマイズ: 外径/内径、厚さ、段差の高さ、位置決め機能、面取り、および図面ごとのインターフェースの詳細

4.VeTek 高純度クォーツ エッチング リングを選ぶ理由?

VeTek Semiconductor は、エッチングおよびサーマル ツール用のプロセス クリティカルな石英ハードウェアを供給しています。エッチング リングの場合、次の点に重点が置かれます。

• 高度なドライエッチング環境に適した材料純度と表面清浄度

• 安定したプラズマ境界制御と再現可能なチャンバーフィットをサポートする寸法精度

• OEM スタイルの交換および完全にカスタムのチャンバー インターフェイスのための設計の柔軟性

• ウェーハキャリア、炉心管、ボート、および関連プロセス部品も含む完全な石英コンポーネント製品群

高純度、プラズマ耐久性、厳密な形状制御を組み合わせることで、VeTek 高純度クォーツ エッチング リングは、ウェーハ全体のエッチングの均一性を向上させ、エッジ関連の欠陥を低減し、ドライ プラズマ エッチング ツールでのより長く安定した生産サイクルをサポートします。