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シリコンエピタキシーの特性20 2024-06

シリコンエピタキシーの特性

高純度：化学蒸気堆積（CVD）によって成長したシリコンエピタキシャル層は、従来のウェーハよりも非常に高い純度、より良い表面の平坦性、および欠陥密度が低くなっています。
固体炭化シリコンの使用20 2024-06

固体炭化シリコンの使用

ソリッドシリコン炭化物（SIC）は、独自の物理的特性により、半導体製造の重要な材料の1つになりました。以下は、その物理的特性と半導体機器（ウェーハキャリア、シャワーヘッド、エッチングフォーカスリングなど）での特定の用途に基づいたその利点と実用的な価値の分析です。
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