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この記事では、イタリアの LPE 社が新しく設計した PE1O8 ホットウォール CVD リアクターの最新開発と、200mm SiC 上で均一な 4H-SiC エピタキシーを実行するその能力について紹介します。

With the growing demand for SiC materials in power electronics, optoelectronics and other fields, the development of SiC single crystal growth technology will become a key area of ​​scientific and technological innovation. As the core of SiC single crystal growth equipment, thermal field design will continue to receive extensive attention and in-depth research.

継続的な技術の進歩と詳細なメカニズム研究により、3C-SICヘテロエピタキシャル技術は、半導体業界でより重要な役割を果たすことが期待され、高効率の電子デバイスの開発を促進することが期待されています。

空間ALD、空間的に分離された原子層堆積。ウェーハは異なる位置を移動し、各位置で異なる前駆体にさらされます。以下の図は、従来のALDと空間的に分離されたALDの比較です。

最近、ドイツの研究所Fraunhofer IISBは、Tantalum Carbide Coating Technologyの研究開発においてブレークスルーを行い、CVD堆積ソリューションよりも柔軟で環境に優しいスプレーコーティング溶液を開発し、商品化されています。

急速な技術発展の時代において、3D プリンティングは高度な製造技術の重要な代表として、従来の製造の様相を徐々に変えつつあります。技術の継続的な成熟とコスト削減により、3D プリンティング技術は航空宇宙、自動車製造、医療機器、建築設計などの多くの分野で幅広い応用の可能性を示し、これらの産業の革新と発展を促進してきました。