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単結晶炉の熱フィールドの温度勾配はどれくらいですか？09 2024-09

単結晶炉の熱フィールドの温度勾配はどれくらいですか？

この記事では、単結晶炉の温度勾配について説明しています。結晶の成長中の静的および動的熱場、固形液界面、および固化における温度勾配の役割をカバーします。
タイコはシリコンウェーファーをどの程度薄くすることができますか？04 2024-09

タイコはシリコンウェーファーをどの程度薄くすることができますか？

Taikoは、その原則、技術的な利点、およびプロセスの起源を使用して、シリコンウェーファーを処理します。
8インチSICエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセス研究29 2024-08

8インチSICエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセス研究

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半導体基板ウェーハ：シリコン、GaAs、SiC、GaNの材料特性28 2024-08

半導体基板ウェーハ：シリコン、GaAs、SiC、GaNの材料特性

この記事では、シリコン、GaAs、SiC、GaN などの半導体基板ウェーハの材料特性を分析しています。
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