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炭化シリコン（SIC）と窒化ガリウム（GAN）アプリケーションの違いは何ですか？ -Vetek半導体10 2024-10

炭化シリコン（SIC）と窒化ガリウム（GAN）アプリケーションの違いは何ですか？ -Vetek半導体

SICとGANは、ブレークダウン電圧、より速いスイッチング速度、優れた効率など、シリコンよりも利点を持つワイドバンドギャップ半導体です。 SICは、熱伝導率が高いため、高電圧の高電力アプリケーションに適していますが、Ganはその優れた電子移動度のおかげで高周波アプリケーションに優れています。
物理蒸着 (PVD) コーティングの原理と技術 (2/2) - VeTek Semiconductor24 2024-09

物理蒸着 (PVD) コーティングの原理と技術 (2/2) - VeTek Semiconductor

電子ビーム蒸着は、電子ビームで蒸着材料を加熱し、蒸発・凝縮させて薄膜を形成する抵抗加熱に比べて効率が高く、広く使用されているコーティング方法です。
物理的蒸気堆積コーティングの原理と技術（1/2）-Vetek半導体24 2024-09

物理的蒸気堆積コーティングの原理と技術（1/2）-Vetek半導体

真空コーティングには、フィルム材料の蒸発、真空輸送、薄膜の成長が含まれます。さまざまなフィルム素材の蒸発方法と輸送プロセスによれば、真空コーティングは2つのカテゴリに分類できます：PVDとCVD。
多孔質グラファイトとは何ですか？ -Vetek半導体23 2024-09

多孔質グラファイトとは何ですか？ -Vetek半導体

この記事では、Vetek半導体の多孔質グラファイトの物理的パラメーターと製品特性、および半導体処理における特定のアプリケーションについて説明します。
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