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CVD TACコーティングは、基質（グラファイト）に密で耐久性のあるコーティングを形成するプロセスです。この方法では、高温でTACを基質表面に堆積させることが含まれ、優れた熱安定性と耐薬品性を備えた炭化物（TAC）コーティングをもたらします。

8 インチの炭化ケイ素 (SiC) プロセスが成熟するにつれて、メーカーは 6 インチから 8 インチへの移行を加速しています。最近、オン・セミコンダクターとレゾナックは、8 インチ SiC 製造に関する最新情報を発表しました。

この記事では、イタリアの LPE 社が新しく設計した PE1O8 ホットウォール CVD リアクターの最新開発と、200mm SiC 上で均一な 4H-SiC エピタキシーを実行するその能力について紹介します。

With the growing demand for SiC materials in power electronics, optoelectronics and other fields, the development of SiC single crystal growth technology will become a key area of ​​scientific and technological innovation. As the core of SiC single crystal growth equipment, thermal field design will continue to receive extensive attention and in-depth research.

継続的な技術の進歩と詳細なメカニズム研究により、3C-SICヘテロエピタキシャル技術は、半導体業界でより重要な役割を果たすことが期待され、高効率の電子デバイスの開発を促進することが期待されています。

空間ALD、空間的に分離された原子層堆積。ウェーハは異なる位置を移動し、各位置で異なる前駆体にさらされます。以下の図は、従来のALDと空間的に分離されたALDの比較です。

最近、ドイツの研究所Fraunhofer IISBは、Tantalum Carbide Coating Technologyの研究開発においてブレークスルーを行い、CVD堆積ソリューションよりも柔軟で環境に優しいスプレーコーティング溶液を開発し、商品化されています。

急速な技術発展の時代において、3D プリンティングは高度な製造技術の重要な代表として、従来の製造の様相を徐々に変えつつあります。技術の継続的な成熟とコスト削減により、3D プリンティング技術は航空宇宙、自動車製造、医療機器、建築設計などの多くの分野で幅広い応用の可能性を示し、これらの産業の革新と発展を促進してきました。

単結晶材料だけでは、成長するさまざまな半導体デバイスの生産ニーズに応えることができません。 1959 年末に、単結晶材料の薄層成長技術であるエピタキシャル成長が開発されました。

炭化シリコンは、高温、高周​​波、高電力、高電圧デバイスを作るのに理想的な材料の1つです。生産効率を改善し、コストを削減するために、大規模な炭化シリコンの準備は重要な開発方向です。

海外ニュースによると、関係筋２人は６月２４日、バイトダンスが米国のチップ設計会社ブロードコムと協力して高度な人工知能（ＡＩ）コンピューティングプロセッサーの開発に取り組んでいることを明らかにした。これは、中国との緊張が高まる中、バイトダンスがハイエンドチップの適切な供給を確保するのに役立つだろう。そして米国。

SIC業界の大手メーカーとして、Sanan Optoelectronicsの関連ダイナミクスは、業界で広範な注目を集めています。最近、Sanan Optoelectronicsは、8インチの変革、新しい基板工場の生産、新しい企業の設立、政府補助金、その他の側面を含む一連の最新の開発を明らかにしました。

物理蒸気輸送（PVT）法を使用したSICおよびALN単結晶の成長では、るつぼ、シードホルダー、ガイドリングなどの重要なコンポーネントが重要な役割を果たします。図2 [1]に示されているように、PVTプロセス中に、種子結晶は低温領域に配置され、SICの原料はより高い温度（2400°以上）にさらされます。

シリコン炭化物基板には多くの欠陥があり、直接処理することはできません。特定の単結晶薄膜は、チップウェーハを作るためにエピタキシャルプロセスを通じてそれらに栽培する必要があります。この薄膜はエピタキシャル層です。ほとんどすべての炭化物装置は、エピタキシャル材料で実現されています。高品質の炭化シリコン均一なエピタキシャル材料は、炭化シリコンデバイスの開発の基礎です。エピタキシャル材料の性能により、炭化シリコンデバイスのパフォーマンスの実現が直接決定されます。

シリコンカーバイドは、エピタキシャル基質から保護コーティング、電気自動車や再生可能エネルギーシステムまで、包括的な特性を備えた電力および高温用途向けに半導体産業を再構築しています。

高純度: 化学気相成長 (CVD) によって成長させたシリコン エピタキシャル層は非常に純度が高く、従来のウェーハよりも優れた表面平坦性と低い欠陥密度を備えています。