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炭化シリコン（SIC）の主要な成長方法には、PVT、TSSG、およびHTCVDが含まれ、それぞれに明確な利点と課題があります。 SICの正確な製造と用途に不可欠な安定性、熱伝導率、および純度を提供することにより、断熱材、るつぼ、TACコーティング、多孔質グラファイトなどの炭素ベースの熱野材料が結晶の成長を促進します。

SiCは硬度、熱伝導性、耐食性が高く、半導体製造に最適です。 CVD SiC コーティングは化学蒸着によって作成され、高い熱伝導率、化学的安定性、エピタキシャル成長に適合する格子定数を提供します。低熱膨張と高硬度により耐久性と精度が保証され、ウェーハキャリア、予熱リングなどの用途に不可欠です。 VeTek Semiconductor は、さまざまな業界のニーズに対応するカスタム SiC コーティングを専門としています。

炭化シリコン（SIC）は、高温抵抗、耐食性、高機械強度などの優れた特性で知られる高精度半導体材料です。 200を超える結晶構造があり、3C-SICが唯一の立方型であり、他のタイプと比較して優れた自然な球状と密度を提供します。 3C-SICは、電子移動度が高いことで際立っているため、パワーエレクトロニクスのMOSFETに最適です。さらに、ナノエレクトロニクス、青色LED、センサーで大きな可能性を示しています。

潜在的な第4世代の「究極の半導体」であるダイヤモンドは、その例外的な硬度、熱伝導率、および電気特性により、半導体基板に注目を集めています。高コストと生産の課題はその使用を制限していますが、CVDが推奨される方法です。ドーピングと大規模なエリアのクリスタルの課題にもかかわらず、ダイヤモンドは約束を保持しています。