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SiC コーティングエッジの黄ばみを解決し、CVD 歩留まりを 50% から 90% に向上05 2026-08

SiC コーティングエッジの黄ばみを解決し、CVD 歩留まりを 50% から 90% に向上

MOCVDエピタキシーグラファイトサセプタのエッジの黄変と炭化ケイ素コーティングの剥離の原因を詳細に分析します。 VeTek は、初期 CVD 堆積速度と流れ場を正確に制御することでマイクロストレスを排除し、コーティング収率を 50% から 90% に向上させ、高純度グラファイト部品の耐用年数を延長しました。
マルチポケットシリコンエピタキシーグラファイトサセプタのポケット間の大きなばらつきを解決するにはどうすればよいですか?03 2026-08

マルチポケットシリコンエピタキシーグラファイトサセプタのポケット間の大きなばらつきを解決するにはどうすればよいですか?

マルチポケット シリコン エピタキシー グラファイト サセプタのポケット間の厚さのばらつきが 1.4% であることに対処し、VeTek Semi は CVD 流れ場シミュレーションと超精密 SiC コーティングによってサセプタの平坦度を 0.08mm 未満に改善し、ばらつきを 0.69% に低減し、ウェハの歩留まりを向上させました。
MOCVD SiC コーティングされたグラファイトサセプタの亀裂解析と熱応力最適化のケーススタディ30 2026-07

MOCVD SiC コーティングされたグラファイトサセプタの亀裂解析と熱応力最適化のケーススタディ

Vetek がどのようにして大型 MOCVD SiC コーティングされたグラファイト サセプターの放射状亀裂を除去したかをご覧ください。構造応力バッファーの再設計と CTE マッチングにより、耐用年数が 300% 以上延長されました。
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