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CVD SiC コーティング RTP サセプタ
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CVD SiC コーティング RTP サセプタ

VeTek Semiconductor の CVD SiC コーティングされた RTP サセプタは、半導体製造全体で使用される急速熱処理 (RTP) および急速熱アニーリング (RTA) 装置として機能します。基板は高純度等方性グラファイトから機械加工され、その上に高密度の CVD 炭化ケイ素 (SiC) 層が堆積されます。この構造により、高い熱伝導率、堅牢な化学的不活性性、および繰り返しの高温サイクル下でも寸法安定性が持続します。

特徴

  • 熱均一性 – この材料の高い熱拡散率により、迅速で空間的に均一な熱伝達が可能になり、再現可能なウェーハ温度プロファイルがサポートされます。
  • 高純度レベル – CVD SiC コーティングは 99.99995% の純度を達成し、重要なプロセスステップにおける可動イオンと金属汚染のリスクを効果的に軽減します。
  • 化学的耐久性 – コーティングは、高温下でハロゲンベースのガスなどの腐食種に対して強力な耐性を示します。 l サービス間隔の延長 – 酸化耐性と耐摩耗性の強化により、交換回数が減り、工具のダウンタイムが短縮されます。
  • 設計の柔軟性 – 寸法と構成は、特定の RTP チャンバーの形状とウェーハ サイズに合わせて調整できます。


アプリケーション

  • 急速熱処理 (RTP)
  • 急速熱アニーリング (RTA)
  • ドーパントの活性化 酸化およびアニーリングのステップ
  • 集積回路 (IC) の製造
  • パワーデバイス製造技術


仕様

財産
代表値
コーティング材
CVD炭化ケイ素(β-SiC)
純度
99.99995%
密度
3.21 g/cm3
硬度
2500HV
熱伝導率
300W/m・K
熱膨張
4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹
曲げ強度
415MPa


VeTek Semiconductor を選ぶ理由

· 半導体グレードの要件に合わせて特別に開発された社内 CVD SiC コーティング プロセス。

· グラファイトの精製、精密加工、コーティングの厚さ制御のための統合機能。

· バッチ生産全体にわたって実証済みのコーティングの密着性と層の均一性。

· 主要な RTP ツール プラットフォームと互換性のあるカスタム サセプター設計のエンジニアリング サポート。

· 厳格な入荷材料検査、工程内モニタリング、および最終認定テストにより、バッチ間の一貫性が保証されます。


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