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8インチSICエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセス研究29 2024-08

8インチSICエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセス研究

8インチSICエピタキシャル炉とホモエピタキシャルプロセス研究
半導体基板ウェーハ：シリコン、GaAs、SiC、GaNの材料特性28 2024-08

半導体基板ウェーハ：シリコン、GaAs、SiC、GaNの材料特性

この記事では、シリコン、GaAs、SiC、GaN などの半導体基板ウェーハの材料特性を分析しています。
GANベースの低温エピタキシー技術27 2024-08

GANベースの低温エピタキシー技術

この記事では、主に、GANベースの材料の結晶構造、3。エピタキシャル技術要件、実装ソリューション、PVDの原則に基づく低温エピタキシャル技術の利点、および低温透過性エピタクシャル技術の開発展望など、GANベースの低温エピタキシャル技術について説明します。
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